12英寸帶真空退火爐

1.溫度范圍：150–1,300℃；                              

2.升溫速率：1-200℃/秒可調(diào)；                              

3.溫度均勻性：±5℃（200mm wafer 1015℃）；                              

4.樣品尺寸：12寸或300×300mm（多溫區(qū)控制）；                

5.控制軟硬件：自研系統(tǒng)軟件，支持SEMI自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)，SECS/GEM通訊接口；可編程溫度曲線存儲(chǔ)500條以上, 每條曲線包括50段以上，數(shù)據(jù)可導(dǎo)出為文本文件便于數(shù)據(jù)處理。                                 

6.降溫速率：80℃/秒（急冷可選，降溫速率200℃/秒）；

7.溫度設(shè)定范圍：100-1,300℃，每段時(shí)間設(shè)定范圍1- 30,000秒；    

8.溫度過(guò)沖：＜5℃；                           

9.測(cè)溫系統(tǒng)：K型熱偶，雙點(diǎn)測(cè)溫（光學(xué)測(cè)溫可選）；                            

10.降溫系統(tǒng)：CDA，水冷；                               

11.控溫精度：±0.3℃；                              

12.PID溫控：PID溫控，在升溫速率下仍可保證不過(guò)沖；     

13.保溫時(shí)間：1200℃保溫時(shí)間＞600秒；                             

14.溫度穩(wěn)態(tài)穩(wěn)定性：±1℃；                             

15.工藝氣路：2路MFC（最多可選6路）；

12英寸帶真空退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
硅基，三代，四代半導(dǎo)體制程工藝(RTP,RTA,RTO,RTN）
鐵電材料研究
薄膜應(yīng)力調(diào)控
集成電路制造
材料物性測(cè)試前熱處理，熱振實(shí)驗(yàn)
CMOS工藝優(yōu)化
摻雜激活（離子注入后退火）
歐姆接觸退火（金屬化退火）
氧化/氮化處理
高k介質(zhì)熱處理
硅片表面處理
太陽(yáng)能電池制造
相變材料處理
薄膜應(yīng)力調(diào)控
晶粒生長(zhǎng)與結(jié)晶退火
新材料熱穩(wěn)定性研究
MEMS器件加工
納米器件加工